Le fournisseur de composants japonais et le fondeur taiwanais collaborent en flash Monos 28 nm pour microcontrôleurs et processeurs automobiles.

Renesas Electronics et TSMC viennent d’étendre leur collaboration au développement d’une mémoire flash Monos (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) embarquée fabriquée en technologie 28nm et principalement destinée aux applications automobiles. Cette technologie, qui succèdera à l’actuelle génération de mémoire flash 40nm, devrait être échantillonnée en 2017 et produite en volume en 2020. L’objectif est de multiplier par quatre la densité de cellules mémoires et leurs performances au sein de microcontrôleurs et de processeurs embarqués.