Destinés aux applications portables, les deux Mosfet 20 V canal P d’Alpha and Omega Semiconductor sont proposés dans des boîtiers DFN de 3 x 3 mm, pour une épaisseur de 0,8 mm seulement. Le californien Alpha and Omega Semiconductor (AOS) a dévoilé deux Mosfet à forte densité de puissance exploitant le procédé AlphaMOS de la société.
Référencés AON7421 et AON7423, ces transistors 20 V canal P sont proposés dans des boîtiers DFN de 3 mm de côté dont l’épaisseur est de 0,8 mm.
Des dimensions réduites qui feront la plus grande joie des systèmes portables (téléphones mobiles, tablettes PC, livres électroniques, lecteurs mp3 ou autres…), pour lesquels les contraintes d’encombrement sont fortes.

Pour une tension de grille de -2,5 V, le modèle AON7421 affiche une résistance à l’état passant de 8,2 mOhms seulement. Pour sa part, l’AON7423 est susceptible de fonctionner avec une tension de commande aussi basse que -1,5 V.
A température ambiante de 25 °C, la puissance dissipée est de 6,2 W (AON7421) ou 6,3 W (AON7423), pour un courant de drain de -50 A.
Par lot de 1000 pièces, le prix unitaire de ces deux Mosfet est de 0,7 $.