9,4 mOhms de résistance seulement pour un Mosfet 8 V en boîtier de 2×2 mm

Le 03/07/2012 à 15:30 par Philippe Dumoulin

Issu de la famille TrenchFET, le dernier Mosfet canal N de Vishay cible les applications de commutation de charge dans les appareils portables. Le SiA436DJ de Vishay Intertechnology est un Mosfet 8 V canal N affichant, selon la société, la plus petite résistance à l’état passant de l’industrie, pour un composant de ce type présenté dans un boîtier PowerPAK SC-70 de 2  x2 mm.
Cette résistance est en effet comprise entre 9,4 mOhms et 36 mOhms, pour des tensions grille-source entre 4,5 V et 1,2 V. Soit des valeurs jusqu’à 18 % inférieures à celles des Mosfet issus de la génération précédente de l’américain.

Le SiA436DJ trouvera son juste emploi dans les appareils électroniques portables (smartphones, tablettes…) pour des applications de commutation de charge.

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