Œuvre de SemiSouth Laboratories, ce transistor de puissance en carbure de silicium à faible résistance à l’état passant est également caractérisé par un temps de commutation réduit. SemiSouth Laboratories annonce un transistor à effet de champ à jonction, réalisé en carbure de silicium, dont la résistance à l’état passant est de 45 mOhms seulement.
Référencé SJDP120R045, ce composant dont la tension de blocage drain-source est de 1200 V constitue le sixième élément d’une famille de Jfet en tranchée inaugurée en 2008 par l’américain.
Le nouveau venu affiche un coefficient de température positif, ce qui facilite la mise en parallèle, et un temps de commutation très court. L’absence de courant de queue se traduit par de faibles pertes énergétiques.

Proposé dans un boîtier TO-247 et spécifié jusqu’à +175°C, le SJDP120R045 est également disponible sous forme de puce nue (SJDC120R045) en vue d’une intégration dans un module.
Ce transistor, normalement fermé, vise une large palette d’applications : alimentations à découpage, onduleurs solaires, alimentations secourues, commande de moteurs, chauffage par induction…