Le premier membre de la série MRFX de transistors RF LDMOS 65V de NXP Semiconductors est susceptible de délivrer une puissance de 1800W.

Pour les applications RF de puissance, NXP Semiconductors a dévoilé une nouvelle technologie de transistors LDMOS. La société a ainsi réussi à élever la tension de fonctionnement pour la porter de 50V à 65V. Dans la foulée, la série MRFX a été annoncée. Celle-ci est inaugurée par le MRFX1K80H, un LDMOS délivrant 1800W en mode CW, sous 65V et à 1dB de compression.

Ce transistor large bande cible un large spectre d’applications industrielles, médicales et scientifiques entre 1,8 et 470MHz : les générateurs laser, les accélérateurs de particules, la gravure plasma, les équipements IRM, les machines de soudage et le chauffage industriels… Il trouvera également son juste emploi dans les amplificateurs de puissance destinés aux émetteurs de diffusion TV/FM/DAB, aux stations de base VHF et aux applications sub-GHz du secteur aérospatial. Robuste, il est caractérisé par une tension de claquage de 182V et supporte un taux de désadaptation d’impédance de 65:1.

Le MRFX1K80H est actuellement échantillonné en boîtier céramique, pour une mise en production prévue pour août 2017. Des conceptions de référence pour les applications dans les bandes 27MHz et 87,5-108MHz sont d’ores et déjà disponibles. Une version (MRFX1K80N) en boîtier plastique surmoulé de ce LDMOS sera également proposée dans quelques mois. Avec pour principal bénéfice une résistance thermique diminuée de 30%.