Les derniers amplificateurs RF de puissance 32T32R de NXP Semiconductors profitent d’une nouvelle génération de technologie GaN (nitrure de gallium) pour délivrer deux fois plus de puissance dans le même boîtier que les solutions 64T64R actuelles. En combinant 32 antennes, les étages radio 32T32R étendent la couverture 5G à des zones urbaines moins denses que celles desservies par les stations de base 64T64R. Les transistors GaN lancés par NXP sont conçus pour une puissance moyenne de 10W par antenne, avec un rendement de 58%. Ils sont produits dans la nouvelle usine GaN de NXP située en Arizona.