Le transistor de 220W en GaN du japonais va permettre d’augmenter le rendement et diminuer la taille des amplificateurs de puissance fonctionnant dans la bande des 2,6GHz.

Mitsubishi annonce le développement d’un transistor de puissance HEMT (High Electron Mobility Transistor) en nitrure de gallium destiné aux émetteurs des stations de base 4G. A 2,6GHz, le MGFS53G27ET1 délivre une puissance en saturation de 220W sous 50V. Son gain linéaire est quant à lui de 18dB. Avec son rendement de drain de 74%, ce transistor en boîtier céramique va permettre de gagner en consommation et en taille des amplificateurs de puissance. Les premiers échantillons sont prévus pour début novembre.