Conçu pour la réalisation d’amplificateurs de puissance fonctionnant entre 1,8 et 500MHz, le dernier LDMOS de NXP Semiconductors est susceptible de délivrer jusqu’à 1500W sous 50V.
NXP Semiconductors annonce un transistor de puissance RF apte à délivrer une puissance de 1500W (soit 61,8dBm) à 1dB de compression, sous une tension drain-source de 50V. Référencé MRF1K50H, ce LDMOS en boîtier céramique couvre une large bande de fréquence, soit 1,8 à 500MHz. Il affiche un gain de 23,5dB et un rendement de 80% à 100MHz. Sa vocation est d’améliorer la compacité et de réduire la nomenclature des amplificateurs de forte puissance dans un grand nombre d’applications : émetteurs de diffusion TV/radio VHF, sources plasma/laser, accélérateurs de particules, machines de soudage industrielles, équipements médicaux (IRM)…
A l’instar de son prédécesseur, le MRFE6VP61K25H de 1250W, le nouveau venu s’avère particulièrement robuste afin de supporter de forts taux de désadaptation d’impédance. Par ailleurs, une version en boîtier plastique surmoulé, dont la résistance thermique jonction-boîtier est de 30% inférieure, est proposée sous la référence MRF1K50N. Les MRF1K50H et MRF1K50N sont actuellement échantillonnés, pour une mise en production en juillet 2016.
