« Les amplificateurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) émettant à très haute fréquence peuvent présenter une consommation et un poids inférieurs de plus de 30% par rapport aux modèles en arséniure de gallium (GaAs) » explique Leon Gross, vice-président chargé des produits discrets chez Microchip Technology. L’Américain justifie ainsi le lancement du GMICP2731-10 à destination des satellites de communication, mais aussi des systèmes militaires et des réseaux 5G.

Cet amplificateur de puissance en GaN sur SiC (carbure de silicium) émet jusqu’à 10W à travers une bande passante de 3,5GHz entre 27,5 et 31GHz. Son rendement de puissance ajoutée atteint 20%, avec un gain de 22dB en petits signaux et une perte de retour de 15dB. Son architecture supporte les terminaisons 50Ω et comprend des condensateurs de blocage DC.