Par rapport à l’existant en LDMOS, les gains en rendement et en densité de puissance obtenus vont permettre de compacter les amplificateurs de puissance des émetteurs des stations de base cellulaires.
A l’occasion de la manifestation European Microwave Week, qui a fermé ses portes hier, Infineon Technologies a dévoilé une famille de transistors de puissance RF exploitant une technologie nitrure de gallium sur carbure de silicium (“GaN on SiC”). Des produits qui entendent améliorer le rendement, la densité de puissance et la largeur de bande des amplificateurs des émetteurs des stations de base cellulaires.
Selon la société, vis-à-vis des LDMOS traditionnels, ces transistors en GaN sur SiC vont permettre d’offrir une densité de puissance multipliée par cinq et de gagner jusqu’à 10 points de rendement. Les amplificateurs de puissance aujourd’hui utilisés dans les bandes 1,8-2,2GHz ou 2,3-2,7GHz seront dès lors bien plus compacts.
Des échantillons des premiers transistors (70W à 170W) ainsi des conceptions de référence sont disponibles après accord NDA (Non-disclosure agreement ou accord de non-divulgation). Infineon a fait également état de produits futurs destinés aux infrastructures cellulaires 5G jusqu’à 6GHz.
