A l’occasion de la conférence IEDM qui se déroule cette semaine à San Francisco, l’imec présente un amplificateur de puissance RF composé de chiplets en phosphure d’indium (InP) intégrés sur un interposeur RF en silicium de 300mm de diamètre. L’intégration de ces chiplets entraine une perte d’insertion de seulement 0,1dB à 140GHz, et aucune dégradation de performances dans le fonctionnement de l’amplificateur InP à deux étages. D’après le centre de R&D flamand, cette première ouvre la voie à des modules RF à haut rendement pour les applications de communication et de détection radar au-delà des 100GHz.

A l’heure actuelle, les composants InP ne peuvent être produits que sur des petites tranches de substrat, au moyen de lithographie à faisceau électronique et avec des composants passifs et des techniques de connexion spécifiques, ce qui occasionne un coût élevé. D’où l’intérêt de l’interposeur RF mis en œuvre par l’imec, sur lequel sont connectés les chiplets InP au moyen d’interconnexions passives flip-chip à pas de 40µm. Prochaines étapes de développement : réduire les dimensions des chiplets InP sans perte de performances, ajouter à l’interposeur RF des inductances et des condensateurs MIM, et explorer l’intégration de vias traversants (TSV) et l’amincissement des wafers.