Une offre déclinée en différents modèles de 15 à 600W crête, destinés à couvrir les principales bandes de fréquence cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz.

Ampleon annonce la seconde génération de ses transistors de puissance 0,5µm 50V en nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN sur SiC). Par rapport aux LDMOS équivalents concurrents, ces transistors offrent un rendement amélioré de 5% et une taille réduite. Dans ce dernier cas, le gain est évalué entre 30% et 50% par la société. Ce qui va permettre la réalisation d’amplificateurs de puissance large bande plus compacts. L’offre de l’américain est déclinée en différents modèles dont la puissance crête va de 15 à 600W, destinés à couvrir les principales bandes de fréquence cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz.

Ainsi, le CLF2H27LS-140 est un transistor fournissant 140W crête dans la bande 41. Les autres versions actuellement échantillonnées sont les CLF2H1822LS-160 de 160W et CLF2H1822LS-220 de 220W pour les applications entre 1,8 et 2,2GHz, ainsi que les CLF2H38LS-140 de 140W et CLF2H38LS-40 de 40W (driver) pour la bande 3,4 à 3,8GHz.