GaN Systems a annoncé sa quatrième génération de transistors en nitrure de gallium (GaN), avec à la clé des gains de performances significatifs. A titre indicatif, le Canadien cite une alimentation de 3,2kW pour serveur d’intelligence artificielle dont la densité passerait de 100W/in3 en 2022 à 120W/in3 aujourd’hui, avec des rendements dépassant le niveau de référence titanium.
Outre des rendements améliorés, la quatrième génération de GaN Systems bénéficie d’une variété supérieure dans les spécifications des composants et leurs options de boîtier et, pour les modèles 700V, d’une tension transitoire grimpant à 850V pour une robustesse accrue. Les résistances à l’état passant permettent de concevoir des systèmes allant de 20W à 25kW.
