Le CEA-Leti a développé un process de nitrure de gallium (GaN) sur substrat silicium en tranches de 200mm de diamètre, affichant les mêmes performances que les process GaN/SiC qui sont à la fois plus coûteux et requièrent des salles blanches dédiées. Compatible avec les équipements Cmos classiques, ce process permet de fabriquer des transistors GaN HEMT utilisables dans les télécoms et les radars, jusqu’à 30GHz environ, au sein d’amplificateurs et de commutateurs RF. Les tests de fiabilité ne font que commencer, mais l’objectif du CEA-Leti est de pousser ces transistors AlN/GaN/Si MIS-HEMT jusqu’à 100GHz et d’intégrer des puces GaN/Si sur des tranches de silicium de 300mm.