Dans l’optique d’étendre la loi de Moore au-delà de 2030, Intel collabore avec le CEA-Leti dans un projet de recherche visant à transférer sur des tranches de 300mm des couches de TMD (dichalcogénures de métal de transition) 2D, basées par exemple sur le molybdène et sur le tungstène. Ces matériaux permettent en effet de créer des canaux de transistors fonctionnels épais de moins d’un nanomètre, avec une bonne mobilité des porteurs de charge. « Les matériaux TMD 2D constituent une option prometteuse pour continuer à diminuer les dimensions des transistors à l’avenir », estime Robert Chau, directeur de la recherche chez Intel Europe.