Le fondeur devrait produire en volume des circuits intégrés en technologie FinFET 7 nm d’ici la fin de l’année 2018.

Globalfoundries vient d’annoncer le lancement de son process de fabrication FinFET 7nm haut de gamme baptisé 7LP. Les kits de conception sont d’ores et déjà disponibles et les premiers circuits produits dans cette technologie sont attendus pour le premier semestre 2018 avant une montée en volume au second semestre. 

Ce process 7LP offrirait un gain de plus de 40% en performances par rapport à la précédente technologie 14 nm FinFET du fondeur. Il sera d’abord déployé au sein de l’usine de production sur tranches de 200mm de Saratoga County (Etat de New York), au moyen d’outils de lithographie optique classique avant de migrer vers des équipements de lithographie à ultra-violets extrêmes (EUV) lorsque ces derniers seront jugés compatibles avec la fabrication en volume. 

Concernant la génération 5nm, Gobalfoundries travaille actuellement en collaboration avec Samsung et IBM sur une architecture de transistors GaaFET à nanofeuilles.