Dans les montages de puissance récents, le nitrure de gallium (GaN) est généralement employé pour des puissances et des tensions moyennes, laissant le carbure de silicium (SiC) gérer les applications les plus gourmandes. Mais Power Integrations vient de lancer sous la référence InnoSwitch3-EP des circuits d’alimentation en GaN dotés d’un commutateur unique gérant jusqu’à 1250V – un record dans l’industrie selon l’Américain. Ces circuits de commutation flyback à redressement synchrone sont donc désormais disponibles dans des versions silicium 725V, SiC 1700V et GaN 750, 900 et 1250V.

D’après Power Integrations, les pertes en commutations en GaN 1250V seraient inférieures d’un tiers à celles observées pour des puces en silicium à tension égale. Avec un rendement maximal de 93%, il devient possible de concevoir des alimentations flyback fonctionnant jusqu’à 85W sans dissipateur thermique. Les composants 1250V peuvent être employés dans des montages 1000V en laissant une confortable marge de derating, essentielle en cas de perturbations de l’alimentation. « Nous avons été les premiers à livrer en volume des circuits d’alimentation en GaN en 2019, et nos nouveaux dispositifs 1250V étendent les avantages du nitrure de gallium à une gamme encore plus large d’applications dont beaucoup sont actuellement desservies par la technologie SiC » assure Radu Barsan, vice-président chargé de la technologie chez Power Integrations.
Les InnoSwitch3-EP 1250V sont disponibles en volume sous 16 semaines. Leur prix démarre à 3$ pièce par lots de 10000 en boîtier INSOP-24D.