Vis-à-vis des diodes bipolaires en silicium traditionnelles, les diodes en SiC de Littelfuse offrent un temps de recouvrement négligeable, un courant de fuite inférieur et une meilleure tenue aux surtensions.

Comparées aux diodes de puissance bipolaires au silicium, les diodes Schottky en carbure de silicium de la série LFUSCD de Littelfuse présentent des pertes de commutation réduites et fonctionnent à une température de jonction plus élevée (soit 175°C). Par ailleurs, elles supportent des pics de tension supérieurs et offrent un courant de fuite minimal. Disponibles en versions 650V et 1200V, pour des courants nominaux entre 4A et 30A, ces diodes trouveront leur juste emploi dans les alimentations à découpage, les onduleurs solaires, les équipements de soudage et de découpe par plasma, les bornes de recharge pour les véhicules électriques…

Les LFUSCD sont proposées en boîtiers TO-220 à deux broches ou TO-247 à trois broches.