STMicroelectronics a levé le voile sur ses prochaines technologies photoniques (SiPho) et BiCmos, qui visent en particulier les modules d'interconnexion optique à 800Gbit/s et 1,6Tbit/s attendus par les centres de données et les accélérateurs d'intelligence artificielle. La montée en volume de ces technologies est prévue lors du deuxième semestre 2025. Elles seront toutes deux produites sur des tranches de 300mm à Crolles. D'après une étude de LightCounting citée par ST, le marché des connexions optiques enfichables pour centres de données pourrait passer de 7 milliards de dollars l'an passé à plus de 24Md$ en 2030, une part croissante mettant en œuvre des modulateurs photoniques sur silicium.
Référencé PIC100 et gérant 200Gbit/s par ligne, le premier module optique fabriqué par ST sur des tranches de 300mm combine un modulateur MZM d'une bande passante de 50GHz et un photodétecteur grimpant jusqu'à 80GHz, avec une perte de 0,4dB/cm au niveau du guide d'onde en silicium et 0,5dB/cm pour celui en nitrure de silicium (SiN). En parallèle, ST estime que son prochain process BiCmos B55X, en 55nm sur silicium-germanium, présentera des performances globales améliorées de 15%. Le fabricant travaille également sur des modulateurs compacts à liaisons traversantes TSV permettant des interconnexions optiques sous forme de chiplets au plus proche des processeurs graphiques utilisés pour l'IA.