Vishay a réussi à diminuer de plus de 50% la résistance à l’état passant de ses transistors Mosfet canal N 60V et 80V encapsulés en boîtier PowerPAK 8x8L. Les nouveaux venus au catalogue de l’Américain, référencés SiJH600E et SiJH800E, affichent respectivement 0,65mΩ et 1,22mΩ sous 10V, ce qui diminue d’autant les pertes énergétiques. Les concepteurs de cartes industrielles et télécoms pourront utiliser ces transistors qui délivrent un courant de drain de 373A (60V) et 299A (80V). Tous deux fonctionnent jusqu’à une température de 175°C.