L’Américain a fait progresser de 29% le facteur de mérite de ses transistors Mosfet canal N 30V.

Le dernier transistor Mosfet 30V canal N de Vishay promet d’améliorer la densité de puissance et le rendement des topologies isolées et non-isolées. Le SiSS52DN est en effet contenu dans un boîtier PowerPAK mesurant seulement 3,3×3,3mm et présente une résistance à l’état passant de 0,95mOhms sous 10V – 5% de mieux que la précédente génération. Ce circuit se distingue également par sa résistance de 1,5mOhms sous 4,5V et surtout son facteur de mérite de 29,8mOhms.nC (toujours pour 4,5V) en progression de 29%.