Signe de maturité croissante du SiC, c’est déjà sa troisième génération de composants en carbure de silicium que STMicroelectronics introduit aujourd’hui. Ces nouveaux STPOWER en SiC trouveront preneur dans les applications liées à l’électrification automobile et aux systèmes industriels. Ils comprendront des transistors Mosfet à partir de 650V et jusqu’à 1200V.

Cette troisième génération bénéficie d’améliorations en termes de rendement, de densité de puissance et de tension de fonctionnement. Divers modes d’encapsulation seront proposés, depuis les puces nues jusqu’aux modules ACEPACK en passant par des boîtiers STPAK, H2PAK-7L, HiP247-4L et HU3PAK. Les premiers membres en sont le SCT040H65G3AG, un transistor 650V vendu 5$, et une version 750V en puce nue.