Dans un article publié dans le Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Toshiba a décrit une architecture de convertisseur en demi-pont intégrant un capteur de courant Mosfet – une première dans l’industrie selon le Japonais. Ordinairement, une résistance shunt est utilisée pour mesurer le courant au niveau de l’inductance de sortie et réguler le convertisseur. Cette résistance bénéficie d’une faible variation en température, mais suscite une dissipation d’énergie non négligeable. A contrario, Toshiba mesure le courant comme la somme des intensités circulant dans deux Mosfet basse tension, avec une résistance équivalente (et donc des pertes) fortement réduite. Toshiba assure avoir réglé le problème de la dépendance des Mosfet en température.

Concrètement, le circuit présenté par Toshiba reprend une topologie cascode associant un Mosfet basse tension et un transistor en nitrure de gallium (GaN) dans un montage en demi-pont. La bande passante dépasse les 10MHz, et le Japonais assure que cette technologie participe à la réduction de la taille des condensateurs et inductances associées.