Toshiba a développé ce qu’il considère être le premier transistor RC-IEGT 4,5kV à double grille de l’industrie. Pour rappel, les IEGT (injection enhanced gate transistor) sont des IGBT modifiés au niveau de l’émetteur afin de supporter des tensions supérieures, et les versions RC-IEGT (RC pour reverse conducting) incluent une diode de roue libre. Ici, Toshiba assure avoir réduit de 24% les pertes en commutation par rapport aux traditionnels modèles à grille simple. La double grille comprend en fait une grille principale et une grille dévolue au contrôle de l’extraction des charges positives (trous). Toshiba va continuer ses travaux avec en ligne de mire une commercialisation à partir de 2025.