Très impliqué dans les marchés de l’aéronautique et du spatial, l’Américain EPC vient de présenter sous la référence EPC7018 un transistor Fet en nitrure de gallium (GaN) 100V durci aux radiations. Ce circuit combine une résistance à l’état passant de 3,9mΩ, un courant pulsé maximal de 345A et un boîtier mesurant seulement 13,9mm². La tolérance aux radiations atteint 1Mrad en dose totale et 85MeV/mg.cm² en événements singuliers. Actuellement en cours d’échantillonnage, il sera qualifié et disponible en volume en décembre 2022.