Le fabricant abaisse de 40 % la résistance à l’état passant et de 50 % les pertes en découpage de ses transistors Mosfet SiC pour l’automobile et l’industriel.

Rohm inaugure sa quatrième génération de transistors Mosfet SiC avec des modèles 1200V optimisés pour l’automobile (par exemple avec des batteries 800V) et l’alimentation en milieu industriel. Par rapport à la génération précédente, ces transistors offrent une résistance à l’état passant inférieure d’environ 40%, et des pertes en découpage réduites de moitié. Actuellement en cours d’échantillonnage sous forme de puces nues, les premiers transistors Mosfet SiC de Rohm seront ensuite proposés en boîtiers discrets.