Nexperia fait son entrée sur le marché des diodes en carbure de silicium (SiC) avec des modèles Schottky 650V 10A. Les PSC1065H viennent compléter le catalogue du Néerlandais, qui propose déjà des transistors Fet en nitrure de gallium (GaN). Ces diodes sont encapsulées en boîtiers à deux broches montables en surface (DPAK R2P et D2PAK R2P) ou traversants (TO-220-2 et TO-247-2). Actuellement en cours d’échantillonnage, elles seront disponibles en volume au deuxième trimestre 2022. Nexperia entend étoffer cette famille qui comptera à terme 72 produits, avec des niveaux de tension de 650V et 1200V et des tenues en courant comprises entre 6A et 20A. Des versions automobiles sont également prévues.