Lors du dernier salon Electronica, onsemi a fait la démonstration de ses derniers transistors Mosfet équipés d’une nouvelle technologie de boîtier avec évacuation thermique par le dessus. Le boîtier en question, référencé TCPAK57, mesure 5x7mm et est surplombé d’une plaque thermique de 16,5mm². Cet arrangement permet à la chaleur d’être évacuée par le dessus, plutôt que par le dessous à travers des vias thermiques dans le circuit imprimé.

Dans un premier temps, le boîtier TCPAK57 concerne des transistors 40, 60 et 80V, conformes AEC-Q101 et capables de fonctionner à une température de jonction de 175°C. Ces circuits sont en cours d’échantillonnage, avec une production en volume prévue à partir de janvier 2023. « Et d’autres modèles ne tarderont pas à arriver » nous annonçait sur le salon Martin Embacher, directeur technique EMEA chez onsemi.