STMicroelectronics étoffe sa famille de doubles transistors 650V en nitrure de gallium avec un circuit gérant jusqu’à 200W dans un boîtier de 9x9x1mm.

STMicroelectronics enrichit rapidement son offre en composants de puissance en nitrure de gallium (GaN), comme en témoigne le lancement en production du MasterGaN4. Ce circuit embarque deux transistors GaN 650V symétriques gérant des puissances allant jusqu’à 200W dans un boîtier GQFN de 9x9x1mm. Doté d’entrées supportant des tensions comprises entre 3,3V et 15V, il s’interface directement avec des capteurs à effet Hall ou des composants numériques de commande (microcontrôleur, DSP, FPGA). Le MasterGaN4 convient par exemple aux montages en demi-pont et aux topologies flyback et forward à verrouillage actif. 

Les transistors présentent une résistance à l’état passant de 225mOhms. Le MasterGaN4 est doté de protections contre les blocages, les sous-tensions côté haut et côté bas et les pics de température, et dispose d’une broche de coupure. Il est commercialisé au prix de 5,99$ pièce par lots de 1000.