Fairchild Semiconductor, mais aussi Vishay viennent d’annoncer des transistors Mos dont la résistance à l’état passant devient presque négligeable.

La gestion de l’énergie est un paramètre crucial, non seulement pour des visées environnementales, mais surtout pour des raisons de coûts de l’énergie, et de durée de vie ou de fiabilité des équipements. A l’image de NXP Semiconductors au début de l’été, Fairchild Semiconductor vient de présenter un transistor Mos 30V canal n encapsulé dans un boîtier miniature et dont la résistance passe en dessous de 1mOhm.

Ce composant, référencé FDMS7650, est destiné aux applications de partage de courant entre alimentations et peut gérer jusqu’à 60A. De son coté Vishay vient, lui, de présenter un transistor Mos de puissance 20V canal p dont la résistance a l’état passant établirait un record dans sa catégorie de boîtier mesurant 1,6×1,6mm sur le circuit imprimé.