Une diminution de 27% de la résistance à l’état passant et de 60% de la charge de grille : voici résumé le gain de performances obtenu par Vishay avec son tout dernier transistor Mosfet 600V série E, le SiHK045N60E. Ce composant de quatrième génération vise les premiers étages des architectures de puissance, par exemple la correction de facteur de puissance et la conversion AC-DC.

Le SiHK045N60E affiche une résistance à l’état passant de 43mΩ à 10V et une charge de grille de 65nC, soit un facteur de mérite de 2,8Ω.nC inférieur de 3,4% au meilleur équivalent du marché selon Vishay. Ce transistor se signale également par sa résistance thermique de seulement 0,45°C/W. Il est proposé dans un boîtier PowerPAK de 10x12mm.