Ces modules à deux transistors Mosfet en carbure de silicium conviennent notamment aux chargeurs de véhicules électriques.

ON Semiconductor enrichit son catalogue de transistors de puissance en carbure de silicium (SiC) en présentant deux modules à double Mosfet 1200V convenant entre autres aux chargeurs de véhicules électriques. Configurés en demi-pont, les NXH010P120MNF1 (10mOhms, boîtier F1) et NXH006P120MNF2 (6mOhms, boîtier F2) embarquent un thermistor à coefficient de température négatif pour simplifier la surveillance de température. Ces Mosfet SiC peuvent être associés à des pilotes de grille comme les NCD5700x de l’Américain. Leur boîtier comprend des broches de type press-fit, qui rendent leur utilisation plus aisée en milieu industriel.