L’Américian enrichit son offre de transistors Fet en carbure de silicium destinés à la conversion de puissance. 

UnitedSiC ajoute six membres à son catalogue de transistors FeT en carbure de silicium (SiC). ces transistors de puissance 650V et 1200V sont sertis dans un boîtier D2PAK-7L standard. Disponibles en versions 30, 40, 80 et 150mOhms, ils conviennent aux alimentation de serveurs et d’infrastructures télécoms, aux chargeurs de batteries industrielles et automobiles et aux convertisseurs DC-DC. Grâce à une technique de frittage à l’argent, ils peuvent être assemblés sur des circuits imprimés conventionnels ou sur des substrats métalliques isolés (IMS) complexes. Ces transistors sont vendus entre 3,1$ et 10,91$ pièce par quantités de 1000, selon les modèles.