Venue compléter sa gamme de modules à transistors IGBT qui couvre les courants entre 15 et 35A, la première génération de modules à transistors Mosfet en carbure de silicium 1200V d'onsemi offre, elle, des sorties comprises entre 40 et 70A. Les EliteSiC SPM 31 comprennent un pilote de grille côté haut, un circuit basse tension, six Mosfet SiC et un capteur de température, ainsi que les diodes et résistances de bootstrap. Diverses protections sont incluses, notamment contre les courts-circuits et les sous-tensions.