L’Américain a fait le tour de ses avancées technologiques en mémoires durant le salon taïwanais dédié à l’informatique.
Micron Technology a profité du salon Computex pour faire le point sur ses technologies de mémoires. L’Américain a démarré la livraison en volume de mémoires Dram LPDDR4x en géométrie 1-alpha, et, dans le même process, de mémoires DDR4 pour centres de données. Les deux proviennent des usines de production taïwanaises de Micron, incluant son nouveau site A3 de Taichung. Par rapport aux LPDDR4x produites dans la précédente technologie 1z, les modèles 1-alpha offrent 40% de densité supplémentaire et une baisse de consommation pouvant atteindre 20%, des caractéristiques essentielles pour les smartphones.
Micron a également annoncé l’échantillonnage de mémoires flash Nand à 96 couches avec des capacités de 128Go et 256Go, dans le format UFS 3.1 convenant aux applications automobiles. Ce format s’avère deux fois plus rapide en lecture que l’UFS 2.1 (et 50% plus rapide en écriture), ce qui accélère le délai de démarrage des modules électroniques embarqués dans le véhicule et le stockage de données en temps réel. Enfin, Micron a présenté ses premiers disques durs SSD utilisant des mémoires flash Nand à 176 couches, les Micron 3400 et 2450.
