Les nouvelles sondes 1 GHz, les oscilloscopes haute définition 12 bits et le logiciel de test constituent un ensemble offrant une précision optimale pour les tests de semi-conducteurs à large bande interdite.
Teledyne LeCroy lance sa nouvelle sonde DL-ISO haute tension à isolation optique à 1 GHz/2500V et son logiciel de test de dispositifs de puissance, qui, combinés à ses oscilloscopes haute définition (HDO®), offrent la caractérisation électrique la plus précise des dispositifs semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC).
Depuis plus de trente ans, les ingénieurs utilisent des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) et des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) au silicium (Si) pour produire des alimentations et des systèmes de conversion de puissance. Cependant, les consommateurs exigent des alimentations et des systèmes plus petits et plus légers, et les gouvernements exigent des rendements plus élevés. Les matériaux « Wide Band Gap » (WBG), tels que le GaN et le SiC, commutent plus de dix fois plus vite que les composants Si dans les dispositifs à semi-conducteurs, et réduisent la taille et le poids tout en augmentant l’efficacité. De nombreux ingénieurs mettent en œuvre des semi-conducteurs WBG pour la première fois et ont besoin d’une plus grande largeur de bande de mesure et d’une analyse plus précise et détaillée des dispositifs semi-conducteurs.
La nouvelle sonde DL-ISO offre aux ingénieurs concepteurs la plus grande confiance dans les mesures de dispositifs semi-conducteurs de puissance GaN et SiC. Elle dispose de la meilleure fidélité du signal, le plus faible « overshoot » et la meilleure précision – 1,5% lorsqu’elle est combinée avec les HDO 12 bits de résolution de Teledyne LeCroy, ce qui est presque deux fois mieux que le seul concurrent. La bande passante de 1 GHz répond aux exigences de mesure des temps de montée de 1ns des dispositifs GaN. Les HDO fournissent également un taux d’échantillonnage jusqu’à 20 GS/s avec une résolution de 12 bits pour la capture et l’affichage des signaux des dispositifs GaN et SiC à grande vitesse. Cette combinaison de la meilleure fidélité du signal, d’un faible « overshoot », d’une grande précision, d’une large bande passante et d’un taux d’échantillonnage élevé est d’une importance critique pour la mise en œuvre réussie des technologies GaN et SiC dans les nouveaux designs. Le nouveau logiciel Power-Device de Teledyne LeCroy simplifie également l’analyse des dispositifs GaN et SiC avec des mesures automatisées de perte de commutation JEDEC® et d’autres mesures, ainsi que des superpositions à code de couleurs pour mettre en évidence les zones mesurées pertinentes.
