Ces transistors canal N à faible résistance à l’état passant sont conçus pour les applications de commutation de charge.
• Tension drain-source : 60 V ou 100 V • Résistance à l’état passant : 36 ou 65 mOhms • Température maximale de canal : +175°C • Boîtier : SOT-23F • Qualifiés AEC-Q101 Réf. SSM3K341R, SSM3K361R Fab. Toshiba Rens. toshiba.semicon-storage.com
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