Très utilisées dans les systèmes industriels, les infrastructures urbaines ou encore les équipements financiers où la fiabilité constitue le maître-mot, les SRam sont également source d’innovation. La prévention des erreurs dites “soft”, souvent causées par l’effet de rayonnements externes, peut y être assurée par l’ajout de codes de correction d’erreurs ou ECC (“Error Correcting Code”), mais cette méthode a ses limites, par exemple lorsque des erreurs simultanées affectent plusieurs bits de données.

C’est pour résoudre ces problèmes que Renesas Electronics a développé une technologie spécifique de mémoires SRam à basse consommation, baptisées Advanced LP SRam. Ces dernières présenteraient une résistance aux erreurs soft 500 fois supérieure aux mémoires SRam traditionnelles.

Fabriquées en technologie Cmos 110nm, elles sont en cours d’échantillonnage en version 16Mbits (RMLV1616A) et 32 Mbits (RMWV3216A), des modèles 4 et 8Mbits étant d’ores et déjà disponibles.

A découvrir dans le numéro de septembre de notre magazine “ElectroniqueS”.