Proposés dans un boîtier PowerPAK SO-8L, ces transistors sont une alternative moins encombrante aux Mosfet en boîtier DPAK (TO-252).
• Tenue en tension: 600V ou 650V
• Courant de drain à 25°C: 5,6 A, 7,9 A ou 8 A
• Résistance à l’état passant à 10V: 0,52 à 0,87mO
• Charge de grille: 16nC, 22nC
Réf. Fab. Rens. SiHJ8N60E, SiHJ6N65E, SiHJ7N65E Vishay Intertechnology www.vishay.com
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