Mosfet 12 V canal P

Le 26/02/2010 à 9:23 par La Rédaction

Série SiB455EDK de Vishay Intertechnology Ce transistor est caractérisé par une résistance à l’état passant parmi les plus faibles de l’industrie.

  • Technologie TrenchFET III
  • Tenue en tension : 12 V
  • Résistance à l’état passant : 27 mOhms à 4,5 V
  • Boîtier PowerPAK SC-75

Rens. www.vishay.com

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