Le sud-coréen inaugure la production en volume de mémoires flash Nand tridimensionnelles, plus robustes et rapides que les modèles planaires actuels : une innovation majeure, susceptible d’assurer l’avenir technologique des mémoires non volatiles.

Jusqu’ici confinée aux laboratoires de recherche et développement, l’approche qui consiste à empiler des couches de cellules dans une structure de mémoire flash tridimensionnelle, accède aujourd’hui à la production en masse, suite au lancement par Samsung de modèles offrant une densité de 128 Gbits par puce. Le sud-coréen vient même de présenter ses premiers disques durs SSD basés sur de telles puces dites 3D V-Nand, des disques de 480 Go et 960 Go de capacité destinés dans un premier temps aux serveurs d’entreprises et aux centres de données.

La structure de cellule flash 3D de Samsung a le mérite d’augmenter la surface physique de stockage de la charge, améliorant d’autant ses performances. Résultat : la fiabilité serait augmentée d’un facteur 2 à 10 (soit, théoriquement, une endurance portée à plus de 30000 cycles d’écriture/effacement, contre 3000 environ pour des Nand MLC 20 nm classiques), tandis que la vitesse d’écriture serait doublée par rapport à une flash Nand 10 nm planaire.