La technologie «GaN-on-Si » est la promesse de Led moins onéreuses que les Led blanches traditionnelles, qui, elles, exploitent des substrats de corindon ou de carbure de silicium (SiC). Cela pour trois raisons essentiellement : le coût réduit du silicium par rapport au corindon et au SiC, une production à partir de tranches de plus grand diamètre (200 mm ou plus au lieu de 100 ou 150 mm) et la possibilité d’utiliser les usines de semi-conducteurs existantes.

Toshiba a été le premier à commercialiser des Led en GaN sur substrat de silicium. C’était fin 2012. Depuis, le japonais n’a cessé d’améliorer les performances optiques de ces sources lumineuses dans le but de recoller aux performances des Led blanches de puissance traditionnelles. Ainsi, après les TL1F1 et les TL1F2, lancées respectivement fin 2012 et fin 2013, Toshiba lance une 3e génération de Led GaN sur silicium – le japonais nomme désormais « Leteras » l’ensemble de sa gamme de Led «GaN-on-Si» qui marque un nouveau cap pour cette technologie.

Baptisés TL1L3, les composants en question délivrent un flux lumineux compris entre 112 et 145 lumens pour un courant direct de 350mA et une tension de 2,85V, soit un rendement lumineux compris entre 112 et 145 lm/W. Ces performances sont à comparer aux valeurs de 104 à 135 lumens de la série TL1F2 et de 85 à 112 lumens de la série TL1F1, obtenues dans les mêmes conditions d’utilisation.

A découvrir dans le numéro de décembre 2014 de notre magazine “ElectroniqueS”.