Mosfet de puissance à canal N ou P de Vishay Intertechnology
Destinés aux applications portables, ces Mosfet de puissance à canal N ou P sont caractérisés par un faible facteur de forme.
• Tenue en tension : 12 V ou 20 V
• Résistance à l’état passant : 43 à 76 mOhms à 4,5 V
• Dimensions : 0,8×0,8 mm, 1×1 mm
Réf. Si8806DB, Si8812DB, Si8817DB, Si8489EDB,
Rens. www.vishay.com
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