Séries NTP641, NTB641x et NTD641x de ON Semiconductor Ces Mosfet 100 V à fort courant, testés à 100 % en avalanche, sont capables d’encaisser des variations de charge importantes.
- Gamme d’intensités : 17 A à 76 A
- R DS(on) : 13 mΩ min.
- Qualifiés AEC-Q101
- Boîtiers : Toé220, D2PAK, DPAK ou IPAK
Rens. www.onsemi.com