Après avoir racheté Cypress, à l’origine de la technologie HyperRam en 2015, Infineon Technologies continue de la développer en collaboration avec le Taïwanais Winbond Electronics. Les deux partenaires viennent ainsi d’annoncer HyperRam 3.0, une famille de pseudo-Sram rapides à brochage compact particulièrement utiles dans les montages denses nécessitant une Ram externe.

Les HyperRam 3.0 tournent jusqu’à 200MHz sous 1,8V à l’instar des HyperRam 2.0, mais avec une bande passante doublée à 800Mo/s grâce à une interface HyperBus étendue à 16 bits. Les premiers modèles, d’une capacité de 256Mbits, sont actuellement en cours d’échantillonnage.

« Ces mémoires compactes, à faible consommation et simples à contrôler conviennent à la  prochaine génération d’objets connectés » précise Ramesh Chettuvetty, directeur marketing chez Infineon.