Samsung en est déjà à sa huitième génération de mémoires flash Nand à cellules empilées, dites V-Nand chez le Sud-Coréen. Le fabricant vient de démarrer la production en volume de puces de 1Tbit à partir de cellules à trois bits de données (TLC), un record de densité selon lui. « Nous sommes parvenus non seulement à réduire la taille de ces mémoires, mais aussi à limiter les interférences entre cellules qui adviennent lorsque les géométries se réduisent », avance SungHoi Hur, vice-président chargé des technologies et produits flash chez Samsung Electronics.

Ces mémoires V-Nand de 1Tbit offrent une vitesse d’entrée-sortie de 2,4Gbit/s, 20% de plus que la précédente génération, grâce à une interface Toggle DDR 5.0. Cela leur permettra de suivre la cadence des ports PCIe 4.0 et 5.0.