SK Hynix estime être le premier fabricant à mettre au point une mémoire Dram HBM3 avec succès. Après HBM, HBM2 et HBM2E, cette quatrième génération comprend de multiples puces Dram empilées afin de délivrer une bande passante très élevée, à savoir 819Go/s, soit une augmentation de 78% par rapport aux mémoires HBM2E. Une correction d’erreurs binaires est également présente.

Les HBM3 de SK Hynix sont proposées en versions 16Go et 24Go. Dans ce dernier modèle sont empilées douze puces Dram mesurant chacune 30µm d’épaisseur et connectées par des liaisons traversantes TSV.