Samsung vient de démarrer la production en volume de mémoires Dram DDR5 fabriquées dans un process 14nm utilisant une gravure aux ultraviolets extrêmes (EUV) à cinq couches. Selon le Sud-Coréen, ce nouveau process EUV apporte un gain de productivité d’environ 20%, tout en diminuant la consommation des puces dans une proportion similaire par rapport aux Dram de génération précédente. Samsung entend ainsi atteindre les débits théoriques de la DDR5, de l’ordre de 7,2Gbit/s (contre 3,2Gbit/s avec l’actuelle DDR4), et produire des puces d’une capacité de 24Gbits.