SK hynix vient de développer les premières mémoires HBM3 à douze puces Dram empilées et les échantillonne déjà pour certains clients. Le Sud-Coréen obtient ainsi une capacité de 24Go par mémoire HBM3, contre 16Go pour les précédents modèles à huit couches. Il explique avoir utilisé pour cela une technologie dite MR-MUF (mass reflow molded underfill) et des vias traversants TSV, qui réduisent de 40% l’épaisseur occupée par chaque puce Dram et permettent d’obtenir in fine une HMB3 à douze couches de même hauteur que les versions à huit couches. La production en volume de ces HMB3 de 24Go est prévue pour la fin de l’année, à destination de l’informatique à haute performance (HPC) et de l’intelligence artificielle.