Echantillonnées l'an passé, les mémoires flash Nand à 321 couches de SK hynix viennent d'entrer en production de volume et seront, comme prévu, largement disponibles en début d'année prochaine. Ces puces contenant 1Tbits de données améliorent de 12% la vitesse de transfert, de 13% les performances en lecture et de 10% le rendement énergétique en lecture par rapport à la précédente génération. Premier fabricant à dépasser la barre des 300 couches de cellules de mémoire, le Sud-Coréen utilise une technologie à triple vias traversants dites three plugs pour connecter trois Nand comportant chacune plus de cent couches, car la gravure par gaz fonctionne moins bien au-delà d'une centaine de couches. Lors de la phase de formation des cellules de mémoire, afin de se prémunir des erreurs d'alignement entre les trois Nand superposées, le gaz de gravure est injecté à travers un chemin latéral additionnel.